绝缘基,制备 | 山东利特纳米技术有限公司-pg电子试玩入口

在绝缘基底上制备大面积石墨烯

浦项科技大学的hee cheul choi教授课题组通过低压cvd实现了在绝缘基底(石英)上单层石墨烯的高质量制备。他们将铜箔与牺牲层sio2/si进行直接的物理接触,目标石英基底则放置在铜箔的上方,最终形成石英/铜箔/sio2/si“三明治”夹层结构。直接物理接触的铜箔和牺牲层在高温下会产生大量铜蒸气,并且被捕获在石英和牺牲层之间,以催化石墨烯在绝缘基底上的直接生长。该法生长的石墨烯具有与常规铜…

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